Артикул: p6481530
Последний экземпляр
20 раз
купили
1409
p.
Характеристики
- Год издания:2019
- Жанр: Радиоэлектроника
- ISBN:978-5-92-211200-0
- Переплет: Твёрдый переплёт
- Формат: 146x222 мм
- Общий тираж: 500
- Вес: 509 г
Описание
Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.