Артикул: p6481530

Последний экземпляр
20 раз купили
1409  p.

Характеристики

  • Год издания:2019
  • Жанр: Радиоэлектроника
  • ISBN:978-5-92-211200-0
  • Переплет: Твёрдый переплёт
  • Формат: 146x222 мм
  • Общий тираж: 500
  • Вес: 509 г

Описание

Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.