Красников Г.: Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов
Артикул: p6588313
Купили 20 раз
О товаре
В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий. Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей вузов.
Характеристики
- Автор:
- Красников Г.
- Серия:
- Мир электроники
- Раздел:
- Радиоэлектроника
- Издательство:
- ТЕХНОСФЕРА
- ISBN:
- Год издания:
- 2011
- Количество страниц:
- 800
- Формат:
- 176x247 мм
- Вес:
- 1.20 кг
Отзывов ещё нет — вы можете быть первым.
Дарим до 50 бонусов за отзыв