Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне
Артикул: p6587948
Купили 20 раз
О товаре
Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4—9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса. .Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.
Характеристики
- Серия:
- Мир радиоэлектроники
- Раздел:
- Радиоэлектроника
- Издательство:
- ТЕХНОСФЕРА
- ISBN:
- Год издания:
- 2014
- Количество страниц:
- 432
- Переплет:
- Твёрдый переплёт
- Формат:
- 176x247 мм
- Вес:
- 0.72 кг
Отзывов ещё нет — вы можете быть первым.
Дарим до 50 бонусов за отзыв