Филачев А., Таубкин И., Тришенков М.: Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды

В предлагаемом вниманию читателей учебном пособии "Твердотельная фотоэлектроника. Фотодиоды" детально и с минимальным количеством отсылок к другой литературе рассмотрены физические явления в наиболее распространенных твердотельных фотоэлектронных изделиях - полупроводниковых фотодиодах, в том числе в лавинных и матричных фотодиодах, фотодиодах с внутренней фотоэмиссией, фотодиодах на основе гетеропереходов и квантово-размерных структур. Описаны структуры и характеристики промышленных и недавно разработанных фотодиодов на основе кремния, германия, соединений InGaAs, InSn, CdHgTe, SiC, AlGaN, квантово-размерных сверхрешеток InAs/GaSb и других материалов, чувствительных в различных спектральных диапазонах оптического излучения - от ультрафиолетового до инфракрасного.Для студентов, обучающихся по направлениям "Оптотехника", "Фотоника и оптоинформатика", "Электроника и наноэлектроника", "Конструирование и технология электронных средств", "Наноинженерия", "Прикладная математика и физика", "Техническая физика", "Информационные системы и технологии" и "Приборостроение".Для аспирантов, готовящих диссертации по специальностям "Физика полупроводников", "Физическая электроника", "Твердотельная электроника...", "Квантовая электроника", "Технология... приборов электронной техники", "Оптические и оптико-электронные приборы и комплексы", "Приборы и методы преобразования изображений и звука".Для инженеров, научных работников и преподавателей вузов, специализирующихся в области разработки и применения изделий фотоэлектроники и оптико-электронных систем.